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氮化鉭,TaN濺射靶材

2017-09-11

氮化鉭, tantalum nitride, TaN, CAS號: 12033-62-4

我公司提供的氮化鉭TaN產品規格如下:

高純氮化鉭TaN, 純度: 99.5%, 粉末粒度: -325目, <10um, 可以定制.

高纯氮化钽TaN溅射靶材, 纯度: 99.5%, 尺寸:直径 355.6mm (14英寸) ,长度 (250mm) ,宽度 (200mm) ,厚度 (20mm), 形状:板材,圆片,矩形,方形,圆环,圆棒,台阶圆片,台阶矩形,其他客户订制

高纯氮化钽TaN蒸发镀膜材料, 纯度: 99.5%, 规格1-10mm, 6 x 6, 10 x 8,18 x10等或定制, 形状: 不规则颗粒,圆粒

氮化钽TaN, 属金属氮化物, 分子量: 194.95, 暗灰色粉末。六方晶结构,晶格常数α=0.518nm。密度13.4-14.36g/cm3。熔点3090℃,电阻率(180±10) μΩ·cm。显微硬度(106±75)MPa,超导转变温度1.2K。热稳定性高, 用作高温导电材料. 耐酸性能好,不溶于硝酸、盐酸和氟氢酸,易被硫酸和硝酸和过氧化氢混合液氧化。易和碳化钽生成类质同晶混合物,和氮化铪、碳化铪互溶。在1400℃以上真空中加热易分解。与氢氧化钾作用分解放出氨。由五氯化钽和氨气反应或700~1000℃下使钽粉和氮气反应生成。冶金中利用氮化钽分解制取高纯钽粉。利用其电阻温度小的特点制造电阻薄膜器件。

用途:
用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。用来制造精确片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。
tantalum nitride resistance film  一种钽基中低阻薄膜。主成分为氮化钽。具有熔点高(3090℃)、电阻温度系数小和稳定性高的特点。电阻率180~220μΩ/cm,方阻50~100Ω,TCR<-50×10-6/℃。采用溅射法工艺制备。用于制作中低阻薄膜元件。

 

銷售各種金屬靶材, 合金靶材, 陶瓷靶材, 稀土金屬, 稀土氧化物, 化學試劑, 高純試劑
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